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筱晓光子提供的线阵/面阵，近红外相机/短波红外相机/铟镓砷相机，采用铟镓砷（InGaAs）材料，在非制冷条件下，仍然在近红外波段（NIR，SWIR）拥有高灵敏度，量子效率高达80 ...

我司提供的近红外相机/短波红外相机/铟镓砷相机，采用铟镓砷（InGaAs）材料，提供制冷版本相机。在近 红外波 段（NIR，SWIR）拥有高灵敏度，130万高分辨率， 量子效率 高达 ...

InGaAs铟镓砷相机 ; 实际像素阵列 · 1296(H) ×1032(V) ; 图像大小 · 6.4[mm] × 5.12[mm] ; 光谱范围 · 400nm~1700nm ; 信噪比 · 51dB (for reference only) A/D分辨率A/D 12bit.

铟镓砷的探测器的工作波长在1.0-1.7微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。

InGaAs铟镓砷芯片，波段：800-1700nm，像素：512*1、1024*1、2048*1，高分辨、高行频、低噪声、SWaP等特性，可应用于机器视觉、半导体检测、工业分选、光伏检测等.

常温型铟镓砷探测器（常温型InGaAs探测器） ; 波长范围(nm), 800-1700, 800-1700 ; 峰值响应度(A/W, *小), 0.85, 0.9 ; 暗电流(nA, *大), 200, 100 ; D*(典型值), -, 2.3×10^12 ...

First Sensor提供大面积铟镓砷PIN（InGaAs PIN）光电二极管，其活性传感器表面直径最高可达3mm。该系列二极管具有低暗电流和高灵敏度（最高可达1700nm波长）的特点。另提供 ...

截止波长的InGaAs探测器，并有4种半导体制冷级别可供用户选择，从而为客户的应用提供最适合的产品。

近红外相机采用铟镓砷（InGaAs）材料，在非制冷条件下，. 在近红外波段（NIR，SWIR）仍然拥有高灵敏度，量子效率高达 %。光谱探测范围是 - nm短波红外波段，并可扩展.